在人工智慧(AI)驱动的记忆体短缺背景下,美光科技正积极扩大其记忆体生产能力,避免记忆体业面临 40 多年来最严重的供应短缺。
《华尔街日报》报导,在美光总部所在地 Boise,公司正投资 500 亿美元,将其佔地 450 英亩的园区规模扩大一倍以上,并兴建两座新的晶圆厂。首座晶圆厂预计 2027 年中开始量产硅晶圆,生产 DRAM。两座工厂预计于 2028 年底全面投产。
另在纽约州雪城(Syracuse)附近,美光刚动工建设一个价值 1,000 亿美元的晶圆厂园区,这是纽约州史上最大的私人投资案。去年底,美光宣布在日本广岛投资 96 亿美元建厂,而竞争对手 SK 海力士则在今年 1 月宣布将在韩国建造一座 130 亿美元的晶圆厂,以及在印第安纳州建造一个 40 亿美元的製造园区。
负责美光 2,000 亿美元美国扩产计画的副总裁 Scott Gatzemeier 表示,我在这里工作 28 年,从未见过像 AI 这样的颠覆性技术,当开始从训练转向推论时,所需的资料量呈爆炸性增长,而洁净室产能根本无法满足需求,我们意识到问题非常严重。
随着科技巨头对 AI 基础设施的建设需求激增,记忆体晶片如 DRAM 和 HBM 的需求已经超过供应,价格也因此飙升。根据预测,2026 年整个产业的资本支出将达到 6,500 亿美元,较前一年增长显着。这些超大规模企业的资本支出包括亚马逊的 2,000 亿美元、谷歌的 1850 亿美元和 Meta 的 1,350 亿美元。
美光则预期,本季度毛利率将达 68%,接近辉达旗舰产品(GPU)超过 73% 的毛利水平。
美光财务长 Mark Murphy 在週三的投资者会议上表示,公司业务正处于非凡的发展轨道上。美光目前对部分关键客户的需求只能满足约一半到三分之二。越来越多买家开始接洽公司,希望锁定多年期採购合约,以确保供应并避免价格大幅上涨,在供应端,我们正尽一切努力增加产能,但这不是一件容易或快速完成的事情。
资料中心硬体经销商 Circular Technology 表示,自去年 9 月以来,DDR5 晶片价格已飙升近 500%,显示短缺影响已超越 HBM 晶片,蔓延至整个记忆体市场。该公司全球研究主管 Brad Gastwirth 表示,目前离短缺结束还很远,这种情况会持续到 2026 年底,至少到 2027 年上半年」。
晶片业研究机构 SemiAnalysis 先前报导美光最新 HBM4 未能成为辉达辉达 Vera Rubin 供应商之一,导致该公司股价短暂下跌。对此,美光表示报导不正确,公司已开始出货 HBM4 给客户,并预计下季度会出货更多,并强调 HBM4 与上一代 HBM3e 供应已售罄,直到今年底都无库存。
(首图来源:美光)
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